Memória Kingston 4GB, 2666Mhz, DDR4, CL19 - KVR26N19S6/4
Código: 28615
R$ 232,90
Disponibilidade: Imediata
Marca: kingston
Modelo: kvr26n19s6/4Especificações:Capacidade: 4gb
Frequência de operação: ddr4 2666mhz
288-pin dimm
Cl (idd): 19 ciclos
Row cycle time (trcmin): 45,75ns (min.)
Refresh to active / refresh command time (trfcmin) 350ns (min.)
Row active time (trasmin) – 32ns (min.)
Potência máxima de operação – tbd w
Classificação ul 94 v - 0
Temperatura de operação – 0oc a +85oc
Temperatura de armazenamento - -55oc a + 100oc
A potência pode variar dependendo do uso do sdramCaracterísticas / benefícios:
Tensão de operação: vdd = 1,2v típico
Vddq = 1,2 v típico
Vpp = 2.5v típico
Vddspd = 2,2 v a 3,6 v
Terminação nominal e dinâmica no die (odt) para sinais de dados,
Luz e máscara
Auto-atualização de baixa potência (lpasr)
Inversão de barramento de dados (dbi) para barramento de dados
Geração e calibração vrefdq no die
Single rank
Eeprom de detecção de presença serial (spd) on-board i2
8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
Burst chop fixo (bc) de 4 e comprimento de burst (bl) de 8 através do
Conjunto registradores de modo (mrs)
Bc4 ou bl8 selecionáveis em tempo real (otf)
Topologia fly-by
Comando de controle e barramento de endereços com terminação
Pcb: altura 1,18” (30,00 mm)
Em conformidade com rohs e sem halogênios
Modelo: kvr26n19s6/4Especificações:Capacidade: 4gb
Frequência de operação: ddr4 2666mhz
288-pin dimm
Cl (idd): 19 ciclos
Row cycle time (trcmin): 45,75ns (min.)
Refresh to active / refresh command time (trfcmin) 350ns (min.)
Row active time (trasmin) – 32ns (min.)
Potência máxima de operação – tbd w
Classificação ul 94 v - 0
Temperatura de operação – 0oc a +85oc
Temperatura de armazenamento - -55oc a + 100oc
A potência pode variar dependendo do uso do sdramCaracterísticas / benefícios:
Tensão de operação: vdd = 1,2v típico
Vddq = 1,2 v típico
Vpp = 2.5v típico
Vddspd = 2,2 v a 3,6 v
Terminação nominal e dinâmica no die (odt) para sinais de dados,
Luz e máscara
Auto-atualização de baixa potência (lpasr)
Inversão de barramento de dados (dbi) para barramento de dados
Geração e calibração vrefdq no die
Single rank
Eeprom de detecção de presença serial (spd) on-board i2
8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
Burst chop fixo (bc) de 4 e comprimento de burst (bl) de 8 através do
Conjunto registradores de modo (mrs)
Bc4 ou bl8 selecionáveis em tempo real (otf)
Topologia fly-by
Comando de controle e barramento de endereços com terminação
Pcb: altura 1,18” (30,00 mm)
Em conformidade com rohs e sem halogênios